• Código do Produto: KVR26N19S8/16
• Especificações: DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, 1.2V, Unbuffered, DIMM, 1R, 16Gbit

Descrição:

O KVR26N19S8/16 da Kingston é um módulo de memória DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Recursos:

• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
• Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
• Geração e calibração de VREFDQ na matriz
• Single-rank
• EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
• Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
• Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
• Topologia fly-by
• Comando de controle terminado e barramento de endereço
• PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm)
• Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:

CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC